想知道四川光刻機的光刻原理嗎？

今天小編要跟大家一起分享的內容是四川光刻機的光刻原理，想知道嗎？

光刻是半導體芯片生產流程中復雜、關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導體芯片生產的難點和關鍵點在于將電路圖從掩模上轉移至硅片上，這一過程通過光刻來實現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。芯片在生產中需要進行 20-30 次的光刻，耗時占到 IC 生產環(huán)節(jié)的 50%左右，占芯片生產成本的 1/3。

四川光刻機的工藝流程是怎樣的呢？光刻分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同。負性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯(lián)而變得不可溶解，并會硬化，不會被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會在后續(xù)流程中被腐蝕掉，負性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。

光刻完成后對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕，洗去剩余光刻膠， 就實現(xiàn)了半導體器件在硅片表面的構建過程。

光刻的原理是在硅片表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過掩模照射在硅片表面，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應。此后用特定溶劑洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實現(xiàn)了電路圖從掩模到硅片的轉移。

現(xiàn)在你是不是更加了解四川光刻機了呢？