1.預(yù)處理測(cè)試Precon Test(Preconditioning Test)
預(yù)處理測(cè)試的目的：了解半導(dǎo)體器件焊接后的可制造性。
模擬從封裝廠到客戶處的運(yùn)輸及在線路板上的焊接。
預(yù)處理實(shí)驗(yàn)后的故障缺陷有：封裝面的開(kāi)裂、分層、開(kāi)路/短路。
2.可靠性測(cè)試Reliability Test
可靠性測(cè)試的目的：了解半導(dǎo)體器件貼裝后在實(shí)際情況下的可靠性，可由實(shí)際用戶進(jìn)行歸納。
可靠性試驗(yàn)流程：
1）溫度循環(huán)測(cè)試 T/C Test(Temperature Cycling Test)
目的：了解半導(dǎo)體封裝承受高、低溫?zé)崦浝淇s的耐久性。
測(cè)試條件：溫度: +150/-65℃；時(shí)間: 15分/區(qū)間；讀取點(diǎn): 1000次循環(huán)；測(cè)量；開(kāi)短路測(cè)試。
溫度循環(huán)測(cè)試后的失效故障：由于打線鍵合的剝離或鍵球頸表面被破壞導(dǎo)致開(kāi)路，芯片開(kāi)裂導(dǎo)致短路。
溫度循環(huán)測(cè)試后的開(kāi)路失效故障：芯片頂部脫層和球頸斷裂。
2）熱沖擊測(cè)試(迅速冷熱交替)T/S Test(Thermal Shock Test)
測(cè)試條件：溫度：+150/-65℃；時(shí)間: 15分/區(qū)間；讀取點(diǎn)：1000次循環(huán)；測(cè)量；開(kāi)短路測(cè)試。
3）高溫倉(cāng)測(cè)試（可以置于空氣或者氮?dú)夤裰校〩TST(High Temperature Storage Test)
目的：了解半導(dǎo)體封裝長(zhǎng)時(shí)間暴露在高溫下的耐久性。
測(cè)試條件：溫度：150℃；讀取點(diǎn)：1000小時(shí)；測(cè)量；開(kāi)短路測(cè)試。
4）T&H Test(Temperature & Humidity Test) 溫度及濕度測(cè)試（潮濕環(huán)境,腐蝕，電解質(zhì)置換Au. A.基板銅層可能開(kāi)路short,焊盤(pán)pad Al腐蝕；b.bond鍵合點(diǎn)斷開(kāi)）
目的：了解半導(dǎo)體封裝在高溫高濕環(huán)境下的耐久性。
測(cè)試條件：溫度：85℃； 濕度：85％；讀取點(diǎn)：1000小時(shí)；測(cè)量；開(kāi)短路測(cè)試。
5）PCT(Pressure Cooker Test) 高壓鍋測(cè)試（飽和蒸汽，100%RH,主要用于QFP產(chǎn)品）
目的：了解EMC和L/F之間存在的差距。
測(cè)試條件：溫度：121℃；濕度：100％；壓力：2ATM；讀取點(diǎn)：168小時(shí)；測(cè)量；開(kāi)短路測(cè)試。
6）高加速應(yīng)力測(cè)試（不飽和蒸汽，80%RH,主要用于BGA產(chǎn)品）HAST(Highly Accelerated Stress Test)
目的：了解EMC與基板之間間隙的存在關(guān)系。
測(cè)試條件：溫度：130℃；濕度：100 ％；壓力：33.3Psi；讀取點(diǎn)：96小時(shí)；測(cè)量；開(kāi)短路測(cè)試。