主要用途

 

主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)。

 

由于本機(jī)有特殊的找平機(jī)構(gòu)，使本機(jī)不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適用非圓形基片和小型基片的曝光。

 

工作方式

 

本機(jī)為一次性光刻曝光

 

主要技術(shù)指標(biāo)

 

1、配置一件承片臺(tái)（承片臺(tái)具體尺寸可根據(jù)用戶(hù)需求制造）

 

2、曝光頭（采用高均勻性多點(diǎn)光源曝光頭）

 

＊出射光斑≤230mm；350W（高壓直流汞燈）

 

＊光的不均勻性在φ230mm范圍內(nèi)≤±8%；

 

＊實(shí)現(xiàn)真空密著條件下曝光。

 

＊光的強(qiáng)度可通過(guò)X、Y、Z進(jìn)行調(diào)節(jié)，曝光時(shí)間，通過(guò)0.1~999.9秒時(shí)間繼電器設(shè)定；

 

＊汞燈位置調(diào)節(jié)可通過(guò)精密的x、y、z調(diào)節(jié)裝置調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)量為x向±5毫米、y向±5毫米、z向±5毫米；

 

＊具有風(fēng)扇冷卻裝置。

 

3、分辨率≥2μm 。

 

4、具備真空吸片功能。

 

5、具有真空密著和反吹氣的功能，通過(guò)調(diào)節(jié)密著真空的大小可以實(shí)現(xiàn)硬接觸曝光（密著真空≤-0.05 Mpa）、軟接觸曝光(密著真空在-0.05Mpa～-0.02Mpa之間)和微力接觸曝光（密著真空≥-0.02Mpa）。